【英文标准名称】:Semiconductordevices-Mobileiontestsformetal-oxidesemiconductorfieldeffecttransistors(MOSFETs)
【原文标准名称】:半导体器件.金属氧化物场效应晶体管(MOSFETs)用迁移离子试验
【标准号】:BSEN62417-2010
【标准状态】:现行
【国别】:英国
【发布日期】:2010-06-30
【实施或试行日期】:2010-06-30
【发布单位】:英国标准学会(GB-BSI)
【起草单位】:BSI
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:覆层;降解;电气工程;电子设备及元件;电离;测量;测量技术;迁移;迁移(化学);金属氧化物场效应晶体管;氧化物;上升;半导体器件;硅;应力;温度;温升;试验;试验条件;阈值电压;晶体管;薄片
【英文主题词】:Coatings;Degradation;Electricalengineering;Electronicequipmentandcomponents;Ionization;Measurement;Measuringtechniques;Migration;Migration(chemical);MOSFET;Oxides;Rise;Semiconductordevices;Silicon;Stress;Temperature;Temperaturerise;Testing;Testingconditions;Thresholdvoltage;Transistors;Wafers
【摘要】:Thispresentstandardprovidesawaferleveltestproceduretodeterminetheamountofpositivemobilechargeinoxidelayersinmetal-oxidesemiconductorfieldeffecttransistors..Itisapplicabletobothactiveandparasiticfieldeffecttransistors.Themobilechargecancausedegradationofmicroelectronicdevices,e.g.byshiftingthethresholdvoltageofMOSFETsorbyinversionofthebaseinbipolartransistors.
【中国标准分类号】:L56
【国际标准分类号】:31_080_30
【页数】:12P.;A4
【正文语种】:英语